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集成电路发展简史 2011/10/9


集成电路发展简史

1.世界集成电路的发展历史
1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;  集成电路
1950年:结型晶体管诞生;   
1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;   
1951年:场效应晶体管发明;   
1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;   
1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;  
1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;   1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;   
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;   
1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;   
1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门);   
1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;   
1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;   
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;   
1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;   
1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;   
1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片集成14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;   
1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;   
1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;   
1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;   
1985年:80386微处理器问世,20MHz;   
1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;   
1989年:1Mb DRAM进入市场;   
1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;   
1992年:64M位随机存储器问世;   
1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;   
1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;  集成电路
1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;   
1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;   
2000年:1Gb RAM投放市场;   2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;   
2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。   
2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。   
2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。   
2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。   
2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。

2.我国集成电路的发展历史
我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段:   
1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;   
1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;   
1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。

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